特許

J-GLOBAL ID：200903042828548514

半導体装置およびその製造方法

発明者： 関口 満
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183064
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線のエレクトロマイグレーション特性を向上させる。【解決手段】 (002)配向したTi膜14上にアモルファスのバリア膜10を堆積する。バリア膜がTi(002)に合わせて微結晶化し上層Cu膜11、12の(111)配向性を向上させる。これによりエレクトロマイグレーション特性が向上する。

請求項（抜粋）：

埋め込み配線を有する半導体装置であって、前記埋め込み配線は、(002)配向したTi膜と前記Ti膜上のアモルファス、または微結晶を含む状態のバリア膜、前記バリア膜上の(111)配向したCu膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/88 R ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/06 N ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (81件)：

4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC37 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030HA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD15 ,  4M104DD17 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD47 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH15 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033LL07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ72 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09