特許
J-GLOBAL ID：200903042836283511
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313054
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153295
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【目的】 EEPROMセルがスパイクノイズ等によっても不測のオーバーライトや消去が行われないようにする。【構成】 通常の動作電圧よりも高い電圧のHV信号に基づいてライトするEEPROMセル1と、EEPROMセル1の動作を制御するライトリードゲートコントロール回路4と、プログラム用の高い電圧であるVpp信号が入力されるとライトリードゲートコントロール回路4をプログラムモードにするHV検知回路3と、プログラム時にライトリードゲートコントロール回路4からEEPROMセル1に与えられるHV信号の印加の条件を与える/STB信号に対して、特定のコード信号を含むPDATA信号により有効条件を与えるSTBenable/disableコントロール回路5とを備え、EEPROMセル1に対してライトする場合、STBenable/disableコントロール回路5に、特定のコード信号を与え、/STB信号を予め有効とし、ライトリードゲートコントロール回路4によるEEPROMセル1へのプログラムを実行させる。
請求項（抜粋）：
通常の動作電圧よりも高い電圧の印加によってプログラム動作を行うEEPROMセルと、前記EEPROMセルの動作モードを切り換え制御する制御手段と、プログラム用の高い電圧が入力されたことを検出したときに、前記制御手段をプログラムモードに設定するプログラムモード検出手段と、前記制御手段から前記EEPROMセルにプログラムの条件を与える信号に対して、自己に特定のコード信号が与えられたときのみ有効とするプログラムイネーブル手段と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
