特許
J-GLOBAL ID：200903042837643538
シリコン含有層の評価方法及びシリサイド層の形成工程の管理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305309
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145231
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 シリコン層の上にシリサイド層を形成したときの状態を非破壊で測定しうる評価方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上のシリサイド層に、Xe光源20から偏光子21によって直線偏光された測定光を斜め方向から入射する。そして、楕円偏光となった反射光のうちp方向の成分とs方向の成分との位相差をΔとし両者の振幅比をΨとしたときに、測定光の波長を変化させて、cos Δ,tan Ψのスペクトルを測定する。そして、予め破壊検査等によってcos Δ等のスペクトルのパターンと、シリサイド層の厚み,相転移の状態,下地の影響による化合物の形成状態,塊状化の程度などとを関係づけておくか、cos Δ等のパターンの特徴的な部分に着目することで、シリサイド層の状態を評価する。
請求項（抜粋）：
シリコン層又はシリサイド層であるシリコン含有層に、光軸に垂直な面内でp方向(光軸に垂直な面と入射光及び反射光を含む面との交線の方向)とs方向(光軸に垂直な面内で上記p方向に垂直な方向)に対して傾いた直線偏光の測定光を上記シリコン含有層の表面に垂直な方向に対して傾いた方向から入射する第1のステップと、上記シリコン含有層から楕円偏光として反射される上記測定光の反射光のうち上記p成分とs成分との位相差をΔとし、上記反射光のうち上記p成分と上記s成分との振幅比をΨとしたときに、cos Δ及びtan Ψのうち少なくともいずれか一方を測定する第2のステップと、上記測定光の波長を変化させて、cos Δ及びtan Ψのうち少なくともいずれか一方のスペクトルを測定する第3のステップと、上記スペクトルの形状に基づいて、上記シリコン含有層の状態を評価する第4のステップとを備えていることを特徴とするシリコン含有層の評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, G01J 4/00
, G01N 21/27
H01L 21/66 N
, G01B 11/06 G
, G01J 4/00
, G01N 21/27 B
