特許
J-GLOBAL ID：200903042844753853
表示パネル製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-159427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067211
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 選択的な陽極酸化のためのフォトレジストマスクを用いることなく、ゲート配線および電極上に陽極化成層を提供することによって、従来の製造工程で通常存在するゲートおよびデータ配線間に発生する短絡による欠陥を減少させた表示パネル製造方法を提供する。【構成】 AlまたはAl合金がガラス基板40上に沈積およびパターンされて複数のゲート電極および配線42を形成する。その後、陽極化成酸化物を形成し得るTaまたはTiを用いて複数のパッド48を形成する;各パッドは対応するゲート配線のエッジの上まで延長されて、その間に電気的結合を提供する。次の段階として、パッド電極および配線の全表面が高い化成電圧で陽極酸化される。その次の段階において、パッド上の陽極化成酸化物層46,49は後続するパッド開放工程段階で窒化シリコン層と共にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
(イ)ガラス基板上に複数のゲート電極および配線を形成する段階と;(ロ)各パッドが各々の前記ゲート配線のエッジを覆って、パッドと配線の間の電気的結合を提供するように、複数の前記パッドを前記ガラス基板上に形成する段階と;(ハ)前記ゲート電極、ゲート配線およびパッドを陽極酸化して、それらの全表面に陽極化成膜を形成する段階と;(ニ)前記(イ)ないし(ハ)段階により処理された前記ガラス基板上に絶縁層を沈積する段階と;(ホ)前記絶縁層上に薄膜トランジスターを形成する段階と;(ヘ)前記(イ)ないし(ホ)段階によって処理された前記ガラス基板上にフォトレジストパターンを形成する段階と;(ト)前記パッドを露出させるために、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて前記パッド上の絶縁層および陽極化成層をエッチングする段階と;(チ)前記フォトレジストパターンを除去する段階と;を含む表示パネル製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/784
