特許
J-GLOBAL ID：200903042845708363
半導体研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316127
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172118
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 チップ裏面から表面パターンを正確に観察できて効率の良い不良解析が可能な半導体研磨装置を提供する。【構成】 観察機構5としての赤外線利用拡大装置13によってそのチップ2の裏面2Bを観察しながら、位置決め機構4としての一対のマイクロメーター12X、12Yによってチップ2の裏面2Bの研磨対象領域を位置決めする。続いて、加工機構6としてのディンプル研磨装置19によってその研磨対象領域を部分的に研磨し、研磨終了後に赤外線利用拡大装置13によってチップ2の裏面2Bから研磨溝22を通じてチップ2の表面パターンを観察する。
請求項（抜粋）：
薄板状の半導体を裏面から研磨する半導体研磨装置において、前記半導体を載置した支持台を水平面上で縦方向及び横方向に移動して半導体の裏面の研磨対象領域を位置決めする位置決め機構と、前記位置決め時及び研磨終了後に半導体の裏面を拡大して観察する観察機構と、前記半導体の裏面の位置決めされた前記研磨対象領域を部分的に研磨する加工機構とを備えたことを特徴とする半導体研磨装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
