特許

J-GLOBAL ID：200903042858163684

半導体装置およびその製造方法

発明者： 平田 ちぐさ ,  秋山 義人 ,  渡邊 智
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機製作所
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132154
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342799
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の重金属拡散工程において、製造工程数を減らし、かつ、特性ばらつきを小さくする。【構成】 n- 型半導体基板11の表面部に選択的にp+ 型アノード領域16が形成されたダイオードにおいて、n- 型半導体基板11上のシリコン酸化膜23の表面にホトレジスト膜25を形成し(第1の工程)、そのホトレジスト膜25をp+ 型アノード領域16の上部において選択的にエッチングし(第2の工程)、p+ 型アノード領域16およびホトレジスト膜25の表面に白金26を蒸着(第3の工程)させた後にホトレジスト膜25を除去し(第4の工程)、p+ 型アノード領域16の表面の白金26をp+ 型アノード領域16の内部およびn- 型半導体基板11に熱拡散させる(第5の工程)。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域の表面部に選択的に第2導電型の半導体領域を形成した半導体装置において、前記第1及び第2導電型の半導体領域上面に一様に形成された絶縁膜の表面にホトレジストを形成し、前記第2導電型の半導体領域表面に形成されている前記絶縁膜を該ホトレジストを用いて選択的にエッチングし、前記ホトレジストの表面および前記エッチングによって露出された前記第2導電型の半導体領域の表面に重金属を堆積させた後に前記ホトレジストを除去し、その後に前記重金属をドライブインしたことを特徴とする半導体装置。