特許

J-GLOBAL ID：200903042860472481

電子ビーム露光方法

発明者： 安田 洋 ,  高橋 靖 ,  阿部 智彦 ,  金田 博幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210490
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308046
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】電子ビーム露光方法に関し、露光時に後方散乱電子により生じる近接効果を補正することを目的とする。【構成】基板上に露光されるパターンを、互いに近接効果を及ぼし合う程度に近接した複数のパターンブロックに分割し、例えば最も微細なパターンを含む特定のパターンブロックを基準パターンブロックとして選択し、この基準パターンブロックについて電子ビームの露光量を決定し、全てのパターンブロックを前記工程で決定された露光量で露光し、基準パターンブロックよりも小さいパターン密度を有するパターンブロックについて、総露光量が全パターンブロックで一定になるようにゴースト露光をおこなう。

請求項（抜粋）：

物体上に集束電子ビームによりパターンを描画する電子ビーム露光方法において、前記物体上に露光されるパターンを互いに近接効果を及ぼし合う程度に近接している複数のパターンブロック(PA ,PB )に分割する工程と;各パターンブロックについて、パターンブロックの面積に対する露光パターンが占有する面積比を表すパターン密度(α)を求める工程と;特定のパターンブロック(PA )を基準パターンブロックとして選択し、前記基準パターンブロックの全露光量(L)を、照射された電子ビームによる前記露光量(Q0 )と前記照射された電子ビームにより形成される後方散乱電子による露光量(E)の総和として決定する工程と;前記基本パターンブロックに対する露光量(Q0 )の集束電子ビームにより、前記基準パターンブロックをも含めて前記複数のパターンブロック(PA ,PB)を露光する工程と;前記基準パターンブロックのパターン密度よりも小さいパターン密度を有するパターンブロック(PB )について、全露光量が前記基準パターンブロックの全露光量(L)と実質的に同じになるように、焦点をぼかした電子ビームにより露光する工程とよりなることを特徴とする電子ビーム露光方法。