特許

J-GLOBAL ID：200903042869314595

磁性メモリー

発明者： 安部 俊郎
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176149
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 一つのメモリーセルに3値以上の多値の情報を記憶できる磁性メモリーを提供する。【解決手段】 第1磁性層3、第1非磁性スペーサー層4、第2磁性層5、第2非磁性スペーサー層6、および第3磁性層7とを少なくとも具備したメモリーセルをマトリクス状に配列している。ワード線を流れる電流の方向と強度を調節して、第1、第2および第3磁性層の磁化の状態を独立に制御することにより、各メモリーセルに多値の情報を記憶しランダムアクセスする。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、該第1磁性層の上部の第1非磁性スペーサー層と、該第1非磁性スペーサー層の上部の第2磁性層と、該第2磁性層の上部の第2非磁性スペーサー層と、該第2非磁性スペーサー層の上部の第3磁性層とを少なくとも有するメモリーセルを複数個具備し、前記第1乃至第3磁性層のそれぞれの磁化の状態により、前記メモリーセルのそれぞれに多値の情報を記憶する磁性メモリー。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08