特許

J-GLOBAL ID：200903042872416323

半導体装置の製造方法

発明者： 野上 毅
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342852
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホールやスルーホール等のホールに、完全にAlやAl合金を埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】アルゴンイオン34によって、RFパワーによる基板の逆スパッタを30秒間実施する。これにより、AlSi1.0%Cu0.5%膜30の表面に形成されたアルミナ膜32は完全に除去される。しかも、1μmの厚さのAlSi1.0%Cu0.5%膜30は、アルゴン逆スパッタチャンバ48での逆スパッタによって実効的に薄くなることはない。次に、基板温度を450°Cまで上げて、AlSi1.0%Cu0.5%合金を溶融し、リフローを実施する。

請求項（抜粋）：

各配線層を接続するためのホールが形成された半導体基板にAl膜もしくはAl合金膜を形成し、前記Al膜もしくは前記Al合金膜を加熱し、前記ホールにAlもしくはAl合金を埋め込んで半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板に形成された前記Al膜もしくは前記Al合金膜を逆スパッタして前記Al膜もしくは前記Al合金膜の表面からAl酸化膜を除去した後、該Al酸化膜が除去された前記Al膜もしくは前記Al合金膜を加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/463 ,  H01L 21/203