特許
J-GLOBAL ID：200903042876432838
化合物半導体薄膜の横方向p-i-n接合形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335550
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 拡散工程を経ずに、容易にp-i-n接合を形成する方法の提供。【構成】 GaAs基板10に対してエッチングを行うことにより、面方位(N11)のNが0≦N≦3を満たす第1面16と、この第1面16と接しかつ面方位(N11)のNがN≒4を満たす第2面18と、この第2面18と接しかつ面方位(N11)のNが5≦Nを満たす第3面20とを形成する。第1〜第3面は、各面同士が接する境界線22aおよび22bで屈折して連なっている。次に、第1〜第3面上に、MBE法を用いて、両極性不純物としてのSiドープした、GaAs層又はAlGaAs層24を成長させて、第1面16上にp型層26、第2面18上に低キャリア濃度層(i型層)28および第3面20上にn型層30を一度に形成する
請求項（抜粋）：
基板に、互いに面方位の異なる第1面および第3面と、該第1面と該第3面との間で当該両面に接しかつ該両面のそれぞれの傾きの中間の傾きを有する第2面とを形成する工程と、前記第1〜3面上に、MBE法を用いて、薄膜が成長する面の面方位によって該薄膜の導電型が決まるように両極性不純物が添加された、化合物半導体薄膜を成長させることにより、一度の工程でそれぞれ、前記第1面上に第1導電型層を形成し、前記第3面上に第2導電型層を形成し、前記第2面上に前記第1および第2導電型層に接合した低キャリア濃度層を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の横方向p-i-n接合形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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