化学的気相堆積処理を改善する方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143446
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060950
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】チャンバから残留フッ素を除去し、引続き処理される基板上に落下し得るチャンバ内の粒子の数を減す。【解決手段】マルチステッププロセスを使用して、洗浄後に、後続堆積の合間に、化学的気相堆積チャンバをコンディショニングし、このコンディショニングは、残留フッ素をチャンバから水素プラズマにより除去し、続いて、固体化合物をチャンバ内に引続いて堆積してチャンバ内に残留するいずれかの粒子を被包することによって行われる。

請求項（抜粋）：

化学的気相堆積(CVD)チャンバの洗浄に続いて、前記チャンバ内の汚染を最小限にする方法であって:a)水素プラズマを化学的気相堆積チャンバ内に形成するステップであって、前記プラズマは、存在する分子と反応して反応生成物を形成するステップ;b)前記反応生成物を前記チャンバから除去するステップ;およびb)不活性な化合物の固体薄膜を前記CVDチャンバの内面上に堆積するステップ;を含み、前記固体化合物膜は前記チャンバに残留する粒子を被包する;方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/44 J , H01L 21/205

Fターム (22件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030JA16 , 4K030KA47 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045BB14 , 5F045EB03 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EH13 , 5F045HA01

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