特許
J-GLOBAL ID:200903042889297387

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-054962
公開番号(公開出願番号):特開平5-256716
出願日: 1992年03月13日
公開日(公表日): 1993年10月05日
要約:
【要約】【目的】 応力をピエゾ抵抗効果により電気信号に変換する応力変換器の感度の温度依存性と個体のばらつきを補正することができる半導体装置を得る。【構成】 ピエゾ抵抗効果を有する抵抗2a〜2dで構成されたブリッジ回路を有する応力変換器の感度の温度特性に応じた温度依存性を持つ基準電圧源18と、抵抗20,21と演算増幅器19より構成された電圧変換器とを備えている。この基準電圧源18の基準電圧を電圧変換器を介して応力変換器に印加する。電圧変換器が応力変換器に印加する電圧の基準電圧に対する倍率は演算増幅器19の演算インピーダンスを構成する抵抗20にて、選択的に設定する。【効果】 基準電圧の有する温度特性が応力変換器の温度特性を補償する。同時に電圧変換器の変換した電圧を調整して、半導体装置が個々に有する感度のばらつきを補正する。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成され、電圧入力端子を有し、該電圧入力端子に与えられた駆動電圧及びピエゾ抵抗効果により応力を電気信号に変換する応力変換器と、前記基板上に形成され、前記応力変換器の感度の温度係数を補償する温度係数を有する基準電圧を発生する基準電圧源と、前記応力変換器の前記電圧入力端子と前記基準電圧源との間に接続され、前記基準電圧を入力して該基準電圧を変換した電圧を前記駆動電圧として前記応力変換器に出力する電圧変換器と、を備えた半導体装置。
IPC (5件):
G01L 9/04 ,  G01D 3/04 ,  H01L 29/84 ,  G01B 7/00 ,  G01B 7/16
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-185137
  • 特開昭60-239644

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