特許
J-GLOBAL ID：200903042889959223
酸化装置および酸化方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-088030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288275
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【課題】 湿式酸化時水素ガスのオーバーシュートを防止するための酸化装置および酸化方法を提供する。【解決手段】 酸素ガスの流量を制御するための第1流量制御装置と、前記第1流量制御装置に連結された第1開閉手段を具備する第1ガス配管と、水素ガスの流量を制御するための第2流量制御装置と、第2流量制御装置の入力端に連結された第2開閉手段を具備する第2ガス配管と、第1ガス配管および第2ガス配管を通過したガスを反応させるための反応管と、反応管から発生した物質を利用して半導体基板を酸化させるための工程チューブを具備する酸化装置において、一端は第2流量制御装置と第2開閉手段の間に連結され、他端は第1のガスの供給器に連結され、第1のガスを開閉するための第3開閉手段を具備する第3ガス配管をさらに具備する。従って、簡単な構造と方法を以って水素ガスのオーバーシュートを防止しうるので、安全事故の予防と製品の信頼性および生産効率を向上させうる。
請求項（抜粋）：
酸素ガスの流量を制御するための第1流量制御装置と、前記第1流量制御装置に連結された第1開閉手段を具備する第1ガス配管と、水素ガスの流量を制御するための第2流量制御装置と、前記第2流量制御装置の入力端に連結された第2開閉手段を具備する第2ガス配管と、前記第1ガス配管および第2ガス配管を通過したガスを反応させるための反応管と、前記反応管から発生した物質を利用して半導体基板を酸化させるための工程チューブとを具備する酸化装置において、一端は前記第2流量制御装置と第2開閉手段との間に連結され、他端は第1のガスの供給器に連結され、前記第1のガスを開閉するための第3開閉手段を具備する第3ガス配管をさらに具備することを特徴とする酸化装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
