太陽電池の製造方法及びそれに供されるスパッタリング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204536
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】平滑な金属層と最適なテクスチャー構造を有する透明層から成る、太陽電池用の裏面反射層を製造し得る方法を提供する。【構成】基板401上に、太陽光に対する反射率が高く表面が平滑な金属の層402を形成し、次いで、透明層403を設けて成る裏面反射層を形成するに際し、バイアススパッタリング法で行うことにより、換言すれば最適なバイアス電圧を印加することにより、最適なテクスチャー構造とする。こうして得られた裏面反射層の上に半導体接合404、透明電極408を形成して太陽電池を完成する。薄膜半導体接合404の表面は裏面反射層と同等のテクスチャー構造となっていることが望ましい。【効果】太陽光に対する反射率が高く且つ光トラップ効果の高い裏面反射層となるため、太陽電池の変換効率が高まる。

請求項（抜粋）：

少なくともその表面が太陽光に対して高い反射率を有しかつ平滑な金属製シート状の基板上に、スパッタリングにより透明層を堆積して成る裏面反射層を形成し、該裏面反射層上に半導体接合層を形成し、該更にその上に透明電極を形成する太陽電池の製造方法において、前記基板に電圧を実質的に制御可能なバイアス電圧を印加しつつ前記裏面反射層の表面をテクスチャー構造にすることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 31/04 M , H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-123781
特開平4-334069
特開昭61-260505

全件表示

前のページに戻る