特許

J-GLOBAL ID：200903042892689440

新規なイオン性基含有ポリベンズアゾール及びそれを主成分とする膜

発明者： 北村 幸太 ,  田口 裕朗 ,  坂口 佳充 ,  中尾 淳子
出願人/特許権者： 東洋紡績株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201269
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 耐久安定性だけでなくイオン伝導性にも優れた高分子電解質となりうる高分子材料の提供。【課題を解決するための手段】 分子中に少なくとも1個以上のイオン性基を含有し、0.05dl/gのメタンスルホン酸溶液の25°Cにおける対数粘度が0.1dl/g以上であり、下記一般式(1)で表される構造を主成分とすることを特徴とするポリベンズアゾール。[式(1)において、Zは-SO3H基若しくは-PO3H2基のいずれかを、mは1〜3の整数を、nは0より大きく1.0以下の数を、X1、X2は、S、O原子、-NH-基、及び下記一般式(2);で表される構造より選ばれる基のいずれかを、それぞれ表す。X1及びX2は同一であっても異なっていてもよい。式(2)においてRは炭素数1〜10の芳香族基、アルキレン基、アラルキル基のいずれかを表す。]。

請求項（抜粋）：

分子中に少なくとも1個以上のイオン性基を含有し、0.05dl/gのメタンスルホン酸溶液の25°Cにおける対数粘度が0.1dl/g以上であり、下記一般式(1)で表される構造を主成分とすることを特徴とするポリベンズアゾール。【化1】[式(1)において、Zは-SO3H基若しくは-PO3H2基のいずれかを、mは1〜3の整数を、nは0より大きく1.0以下の数を、X1、X2は、S、O原子、-NH-基、及び下記一般式(2);【化2】で表される構造より選ばれる基のいずれかを、それぞれ表す。X1及びX2は同一であっても異なっていてもよい。式(2)においてRは炭素数1〜10の芳香族基、アルキレン基、アラルキル基のいずれかを表す。]

IPC (6件)：

C08G 73/06 ,  C08J 5/00 CFG ,  H01B 1/06 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C08L 79:04

FI (6件)：

C08G 73/06 ,  C08J 5/00 CFG ,  H01B 1/06 A ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10 ,  C08L 79:04

Fターム (41件)：

4F071AA60 ,  4F071AA88 ,  4F071AF05 ,  4F071AF37 ,  4F071AF37Y ,  4F071AH15 ,  4F071FA05 ,  4F071FB06 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4J043QB08 ,  4J043QB09 ,  4J043QB15 ,  4J043RA42 ,  4J043RA52 ,  4J043RA57 ,  4J043SA05 ,  4J043SA62 ,  4J043SA71 ,  4J043SA82 ,  4J043SA83 ,  4J043SA87 ,  4J043UA451 ,  4J043UA561 ,  4J043UA591 ,  4J043YB13 ,  4J043ZA04 ,  4J043ZA11 ,  4J043ZA17 ,  4J043ZA21 ,  4J043ZA31 ,  4J043ZA44 ,  4J043ZB14 ,  4J043ZB47 ,  4J043ZB49 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026CX04 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00 ,  5H026HH08