新しい浅いトレンチ分離技術

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：黒川弘朗
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-515050
公開番号（公開出願番号）：特表平11-513538
出願日： 1996年09月23日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】トレンチ分離領域を形成する方法である。本発明の方法は、半導体基板(300)にトレンチを形成する段階と、トレンチに1回目の酸化を行う段階と、次いで酸化したトレンチをHFを含むウェット・エッチング液でエッチングする段階とを含む。次いでトレンチに2回目の酸化を行い、トレンチ酸化物(318)を成長させる。第1酸化物層(322)を基板(300)を覆って等角に堆積させ、その後にスパッタ・エッチングを行う。スパッタ・エッチングした酸化物層(322)を覆って第2酸化物層(326)を堆積させ、次いで酸化物層(322)および(326)を化学的かつ機械的に研磨し、平面の形状(327)を有するトレンチ分離構造を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に分離領域を形成する方法であって、半導体基板に開口を形成する段階と、開口に1回目の酸化を行う段階と、酸化した開口をエッチングする段階と、開口に2回目の酸化を行う段階とを含む方法。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-260660
特開平4-303942
特開平3-048440

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