特許

J-GLOBAL ID：200903042902141065

半導体装置の製造方法

発明者： 杉井 寿博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013428
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 膜からなる半導体ウェーハの加工用マスクの製造方法に関し,レジストに転写可能な最小寸法以下の窓を形成することを目的とする。【構成】 被加工層2上にポリシリコン層3及びSiO2 層4を順次形成し,ポリシリコン層3及びSiO2 層4に開口部5aを設け,熱酸化によりポリシリコン層3の開口部5aの側壁6に露出する端面を酸化し,端面が酸化して膨張し開口部5aを狭めてなる熱酸化部7を形成し,熱酸化膜7,ポリシリコン層3及びSiO2 層4を加工用マスクとして用いることを特徴として構成すし,及び,開口部5aに位置するポリシリコン層3の下に窒化シリコン層8を設けておくことを特徴として構成される。

請求項（抜粋）：

被加工層(2)上に形成されたSiO2 膜に窓を設けて加工用マスクとする半導体装置の製造方法において,被加工層(2)上にポリシリコン層(3)及びSiO2 層(4)を順次形成し,該ポリシリコン層(3)及び該SiO2 層(4)に開口部(5a)を設け,次いで,熱酸化により該ポリシリコン層(3)の該開口部(5a)の側壁(6)に露出する端面を酸化し,該酸化の際に該ポリシリコン層(3)の該端面がSiO2 となり膨張して該開口部(5a)を狭めてなる熱酸化部(7)を形成し,該熱酸化膜(7),該ポリシリコン層(3)及び該SiO2 層(4)を,該熱酸化部(7)により狭められた該開口部(5a)を窓(5)とする加工用マスクとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 311 P