特許
J-GLOBAL ID：200903042903377348
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217724
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044397
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：
【要約】【課題】 新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥の発生、承継を抑制するのではなく、炭化珪素単結晶に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。【解決手段】 マイクロパイプ欠陥を有する基板結晶6を用意する。そして、スーパーマグネトロンプラズマ装置内に基板結晶6を配置し、マグネトロンプラズマにて基板結晶6の表面、若しくはマイクロパイプ欠陥の内壁表面を加熱する。このプラズマ加熱によって電気的、磁気的な相互作用が生じ、表面原子の表面拡散を促進させることができる。これにより、表面原子が移動してマイクロパイプ欠陥内に入り込むため、マイクロパイプ欠陥を閉塞することができる。
請求項（抜粋）：
マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶を用意する工程と、電磁波の照射により、前記炭化珪素単結晶の表面において原子の表面拡散を促進させ、前記マイクロパイプ欠陥を閉塞する工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, C30B 33/04
4G077AA02
, 4G077AB10
, 4G077BE08
, 4G077ED01
, 4G077EE01
, 4G077EE06
, 4G077EF02
, 4G077EJ01
, 4G077EJ02
, 4G077HA05
, 4G077HA12
