特許
J-GLOBAL ID：200903042903644265
電子ビーム励起プラズマスパッタリング方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
富田 幸春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165752
公開番号（公開出願番号）：特開平8-013144
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】基板に合成金属によるスパッタリングを介しての膜をコーティングするに、基板の照射損傷が少く成膜の堆積速度が効率良く、磁性体のスパッタリングが可能になるようにされるようにする。【構成】反応室16にアルゴンガス19を供給し電子ビームガン17' から加速電極34を介し加速された電子ビーム39' を照射し、プラズマを生成しプラズマ中のイオン40をターゲット21に引き込みスパッタリング粒子を生じさせて基板6上に堆積してコーティングする。【効果】反応室16に於ける軸方向、及び、径方向の電位差が少くターゲットに流入するアルゴンのイオンのフラックスやエネルギーやプラズマ生成条件を独立に相互に制御することが出来、ターゲットや基板とプラズマの位置関係を当該プラズマ生成とは独立して設定することが出来る。
請求項（抜粋）：
ターゲットに基板を併設させた反応室内に電子ビームを照射してプラズマを生成させ該プラズマ中のイオンを引き込み基板に成膜を形成するようにする電子ビーム励起プラズマスパッタリング方法において、上記ターゲットにDC又はRF電圧を印加するようにすることを特徴とする電子ビーム励起プラズマスパッタリング方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H05H 1/48
, H01L 21/027
