特許

J-GLOBAL ID：200903042904579319

絶縁膜および半導体装置

発明者： 黒澤 孝彦 ,  山田 欣司 ,  篠田 智隆 ,  松原 稔 ,  井上 靖健 ,  後藤 幸平
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242136
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率で、かつ耐熱性、耐湿性等に優れた絶縁膜、および配線層上に該絶縁膜を有し、低消費電力、高速作動性、信頼性等に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁膜は、(A)加水分解性オルガノシラン化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、並びに(B)加水分解性シリル基および/またはカルボン酸無水物基を有するポリアミック酸と、加水分解性シリル基および/またはカルボン酸無水物基を有するポリイミドとの群から選ばれる少なくとも1種の成分を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。半導体装置は、前記絶縁膜を配線層上に有する。

請求項（抜粋）：

(A)加水分解性オルガノシラン化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、並びに(B)加水分解性シリル基および/またはカルボン酸無水物基を有するポリアミック酸と、加水分解性シリル基および/またはカルボン酸無水物基を有するポリイミドとの群から選ばれる少なくとも1種の成分を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする絶縁膜。

IPC (6件)：

H01L 21/312 ,  C08L 79/08 ,  C08L 83/04 ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 C ,  C08L 79/08 Z ,  C08L 83/04 ,  H01B 3/46 G ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/95