反応性スパッタリング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345341
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】TiN膜を形成する反応性スパッタリングにおいて、プラズマ放電開始時に瞬間的に流れる大きな突入電流によって、Tiが十分に窒化せずに成膜してしまうことを防止する。【解決手段】スパッタ電源に直列にインピーダンスを接続することによって上記突入電流を抑制し、十分に窒化した正常なTiN膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成膜対象である基板を成膜処理室に配置し、スパッタターゲットを装着するスパッタ電極に直流スパッタ電源から負の高電圧を印加し、上記処理室内に希ガスを導入し、上記高電圧によってプラズマ放電を発生させ、同時に上記処理室内に活性ガスを導入し、上記プラズマによる上記ターゲットのスパッタリングによって飛散したターゲット材と上記活性ガスとの反応生成物からなる薄膜を、上記基板上に形成させる反応性スパッタリング方法において、上記薄膜中のターゲット材料と活性ガスとの組成比が概略1対1となるような臨界放電電力値を求めておき、上記直流スパッタ電源に直列に接続したインピーダンスによって、上記プラズマ放電開始時に上記スパッタ電極に供給される電力が上記臨界放電電力値を超えないように、放電電力値を制御しながら放電を行う事を特徴とする反応性スパッタリング方法。

IPC (3件)：

C23C 14/54 , C23C 14/06 , H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/54 Z , C23C 14/06 A , H01L 21/203 S

Fターム (11件)：

4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC34 , 4K029EA05 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 5F103AA08 , 5F103BB56 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103RR06

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