特許

J-GLOBAL ID：200903042909896975

マグネトロンスパッタ成膜装置

発明者： 小澤 豊 ,  名田 直司 ,  大海 元祐
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322581
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158625
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】 マグネトロンスパッタ成膜装置において、成膜中にターゲット上の磁界分布の形を変えて、成膜の制御や成膜の均一化を可能とする。【解決手段】 チャンバ1内の基板2とターゲット3の間に直流電源6による電圧を印化してその間に放電を起こし、ターゲット3を含むターゲットカソード側下部に設けた永久磁石7および同永久磁石7の磁極の間の補助永久磁石10によってターゲット3上に磁力線を発生し、その放電をマグネトロン放電としてチャンバ1内の放電用ガスをイオン化するとともに、このイオン化された正イオンによりターゲット3の原子をスパッタリングして基板2を成膜する。この成膜中に、アクチュエータ11を駆動して補助永久磁石10を回転し、その補助永久磁石10の磁極の向きを変え、つまりターゲット3上の磁力線の形を変えて(磁界分布を変えて)成膜を制御する。

請求項（抜粋）：

内部にターゲットおよび同ターゲットに対向して基板を配置したチャンバ内を所定真空度として放電用ガスを入れ、前記ターゲットと基板の間に放電を起こし、かつ該放電をマグネトロン放電にして前記ガスをイオン化するとともに、該イオン化された正イオンにより前記ターゲットの原子をスパッタリングし、該スパッタリング原子により前記基板を成膜するマグネトロンスパッタ成膜装置において、前記マグネトロン放電を起こして前記ターゲット上に高密度のブラズマを発生させるために、前記ターゲットを含むスパッタカソード側には前記ターゲット上に磁力線を発生する磁力線発生手段を配置し、該磁力線発生手段は少なくとも当該装置の断面で交互に異なる複数の磁極を構成する永久磁石と、該異磁極の間で回転可能とした複数の補助永久磁石とからなり、該補助永久磁石の回転により前記ターゲット上の磁界分布を変えて前記基板の成膜を制御可能としたことを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜装置。