特許
J-GLOBAL ID：200903042910118862
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267382
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118617
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【構成】 レジストパターンの線幅が露光光の波長と同程度であるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記レジストパターンの先端部のみをシフタで規定する半導体装置の製造方法。【効果】 レジストパターンの先端部での、3方向からの光のまわりこみを逆位相の光で打ち消すことができる。つまり、レジストパターンの先端部の露光量が他の部分よりも実効的に増加するという作用を抑制して、露光後のレジストパターンの線幅が、マスクパターンの線幅(縮小投影の場合はマスクパターンの線幅×縮小率)と一致するように露光しても、レジストパターン先端部でのシフト量を抑制することができ、高精度のパターニングを行うことができる。従って、信頼性の高い半導体装置を歩留りよく製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
レジストパターンの線幅が露光光の波長と同程度であるパターンを露光によりポジ型レジストに形成する際、前記レジストパターンの先端部のみをシフタで規定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
