特許

J-GLOBAL ID：200903042911930420

太陽電池セルの製造方法

発明者： 木村 健也 ,  西田 圭一 ,  浅井 正人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159992
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012907
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 多結晶または単結晶のSi基板を含む太陽電池セルの製造コストの上昇を抑制しつつ第1および第2の反射防止膜を備えた光電変換効率の改善された太陽電池セルを製造する方法を提供する。【解決手段】 太陽電池セルの製造方法は、多結晶または単結晶のSi基板(1,13)の受光面側に第1の反射防止膜(15)をCVD法で形成し、ドーパント剤を含む薬液を第1反射防止膜上に塗布して薬液層(16)を形成し、基板(1)を熱処理することによって薬液層(16)を第2の反射防止膜(22,23)に変換するとともに、ドーパント剤を基板(1)の表面層(17,19,20)に拡散させることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

多結晶または単結晶のSi基板を含む太陽電池セルの製造方法であって、前記Si基板の受光面側に第1の反射防止膜をCVD法で形成し、ドーパント剤を含む薬液を前記第1反射防止膜上に塗布して薬液層を形成し、前記基板を熱処理することによって前記薬液層を第2の反射防止膜に変換するとともに、前記ドーパント剤を前記基板の表面層に拡散させることを特徴とする太陽電池セルの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/225

FI (3件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 21/225 R ,  H01L 31/04 H