特許
J-GLOBAL ID：200903042918532439
レーザ加工方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-226987
公開番号（公開出願番号）：特開2006-068816
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 切断予定ラインの所望の部分に沿って、加工対象物の内部に改質領域を確実に形成することができるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 このレーザ加工方法では、基板4の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより、切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる品質改質領域71を基板4の内部に形成する。このとき、切断予定ライン5の所望の部分RPに沿ってレーザ光Lをパルス発振させ、切断予定ライン5の部分RCに沿ってレーザ光Lを停止させる。これにより、切断予定ライン5の所望の部分RPに沿った基板4の内部には、品質改質領域71が形成され、切断予定ライン5の部分RCに沿った基板4の内部には、品質改質領域71が形成されない。【選択図】 図20
請求項（抜粋）：
板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記切断予定ラインの第1の部分では、前記レーザ光のエネルギーを所定の閾値以上として、前記第1の部分とは異なる前記切断予定ラインの第2の部分では、前記レーザ光のエネルギーを前記所定の閾値未満とすることを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件)：
B23K 26/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, H01L 21/301
B23K26/00 D
, B23K26/00 H
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, H01L21/78 B
4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CD01
, 4E068DA10
