特許
J-GLOBAL ID：200903042922780617
酸化シリコンのエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175925
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086229
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 組成の異なる酸化シリコン層から形成された多層シリコン層に、オーバーハングなくかつ副生成物などの残留物がない清浄なスルーホールを形成することを目的とする。【構成】 スルーホール4の側壁や底面に存在する酸化した方向性エッチングの副生成物5を弗化アンモニウムを含むバッファード弗酸(BHF)液を用いた処理により除去し、清浄なスルーホール6を形成する。
請求項（抜粋）：
組成の異なる2種類以上の酸化シリコン層からなる多層酸化シリコン層にスルーホールを形成する酸化シリコンのエッチング方法であって、前記多層酸化シリコン層上に所定の領域に窓の開いたマスクパターンを形成する工程と、方向性を有する励起種を用いて前記マスクパターンをマスクとして前記多層酸化シリコン層の前記窓の下の部分を方向性エッチングする工程と、前記マスクパターンを除去する工程と、前記方向性エッチングにより生じた副生成物を酸化する工程と、前記多層酸化シリコン層を形成する上層の酸化シリコンのエッチング速度が下層の酸化シリコンのエッチング速度以上であるエッチング液を用いて前記副生成物をエッチングする工程とを有することを特徴とする酸化シリコンのエッチング方法。
IPC (2件)：
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