特許

J-GLOBAL ID：200903042926896172

成膜方法並びに絶縁膜及び半導体集積回路

発明者： 杉野 隆 ,  楠原 昌樹 ,  梅田 優
出願人/特許権者： 株式会社渡辺商行 ,  杉野 隆
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040991
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210136
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜方法を提供する。【解決手段】 円筒状容器1内にプラズマ50を生成し、円筒状容器1内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板60にホウ素炭素窒素膜61を成膜する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内に窒素原子を主に励起した後、励起された窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L21/318 ,  C23C16/38 ,  C23C16/452 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/38 ,  C23C16/452 ,  H01L21/90 K

Fターム (28件)：

4K030AA03 ,  4K030AA09 ,  4K030BA41 ,  4K030BA49 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA11 ,  4K030HA12 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  5F033RR01 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058BA07 ,  5F058BC07 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-037637
  
• 特開昭63-083273
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Field emission characteristics of boron carbon nitride films synthesized by plasma-assisted chemical