特許

J-GLOBAL ID：200903042932874296

半導体装置の酸化膜の製造法

発明者： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-361037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166738
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 P濃度が7〜15重量%と高く、かつ、Pの濃度むらがない極めて良質のPSG膜をCVD法によって製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 PSG膜を液体原料を用いてCVD法で形成する場合、ドープ剤としてリン酸モノアルキルあるいはリン酸ジアルキルあるいはこれらの混合物を用いるものである。リン酸モノアルキルはPO(OH)2OR,HPO(OH)OR等であり、リン酸ジアルキルはPO(OH)(OR)2,HPO(OR)2等である。ここでRはCH3基、C2H5基、C3H7基、C4H9基、C5H11基等であり、分子量がC3H7以上の基はそれらの異性体も含むものである。

請求項（抜粋）：

PドープのSiO2膜を液体原料を用いてCVD法で形成する場合、ドープ剤としてリン酸モノアルキルあるいはリン酸ジアルキルあるいはこれらの混合物を用いることを特徴とする半導体装置の酸化膜の製造法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/316