特許

J-GLOBAL ID：200903042934492048

窒化物用MOCVD装置

発明者： 深沢 博之 ,  天野 公夫
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321504
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 基板温度を低くして成膜が可能で、小規模な除害設備で済む窒化物用MOCVD装置を提供する【構成】 窒化物成膜用原料ガスの導入口3と、キャリヤガスの導入口4と、サブフロー用ガス導入口5及び真空排気装置6に接続された排気口7を備えた真空室1内に加熱装置9を設け、該加熱装置で加熱した基板8に該サブフロー用ガス導入口からのガス及び該原料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するMOCVD装置に於いて、該サブフロー用ガス導入口にN2 ガス源10を接続すると共に該N2 ガス源からのN2 ガスを励起するガス励起装置11を接続した【効果】 有害性のないN2 ガスを使用して窒化物の薄膜を従来よりも温度の低い基板上に形成でき、真空室等の耐熱構造を簡単化できると共に除害設備が小規模となし得られ、装置が安価になると共に電気消費量が少なくなって経済的

請求項（抜粋）：

窒化物成膜用原料ガスの導入口と、キャリヤガスの導入口と、サブフロー用ガス導入口及び真空排気装置に接続された排気口を備えた真空室内に加熱装置を設け、該加熱装置で加熱した基板に該サブフロー用ガス導入口からのガス及び該原料ガスの化学反応により窒化物の膜を成膜するMOCVD装置に於いて、該サブフロー用ガス導入口にN2 ガス源を接続すると共に該N2 ガス源からのN2 ガスを励起するガス励起装置を接続したことを特徴とする窒化物用MOCVD装置。

IPC (8件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (8件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C