特許

J-GLOBAL ID：200903042940942985

SiCを含む半導体素子

発明者： 八幡 彰博 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080198
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267573
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 ターンオン時の電流跳ね上がりの少ない半導体素子を作製すること。【解決手段】 1チップ内にSiCで構成される部分5,6とSiで構成される部分1,2,3,4とを存在させるSiCを含む半導体素子を作製する。

請求項（抜粋）：

1チップ内にSiCで構成される部分とSiで構成される部分とがあることを特徴とするSiCを含む半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861

FI (9件)：

H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 301 E ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 Z ,  H01L 29/91 H

Fターム (16件)：

5F040DA00 ,  5F040DA25 ,  5F040DB06 ,  5F040DC01 ,  5F040EB14 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN71