磁気抵抗効果素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-019973
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187048
出願日： 2007年01月30日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：

【課題】書き込み電流の低減と読み出し時のMR比の向上を同時に実現する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、磁化方向が互いに逆向きに固定される第1及び第2強磁性層11A, 11Bと、第1及び第2強磁性層11A, 11Bの間に配置され、磁化方向が変化する第3強磁性層12と、第1強磁性層11A及び第3強磁性層12の間に配置される第1非磁性層13Aと、第2強磁性層11B及び前記第3強磁性層12の間に配置される第2非磁性層13Bとを備える。読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第1ユニットU1のMR比は、インバース状態にあり、第2ユニットU2のMR比は、ノーマル状態にある。書き込み電圧Iw”0”, Iw”1”をバイアスしたときに、第1及び第2ユニットU1, U2のMR比は、共に、ノーマル状態にある。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

磁化方向が互いに逆向きに固定される第1及び第2強磁性層と、前記第1及び第2強磁性層の間に配置され、磁化方向が変化する第3強磁性層と、前記第1及び第3強磁性層の間に配置される第1非磁性層と、前記第2及び第3強磁性層の間に配置される第2非磁性層とを具備し、前記第1及び第2強磁性層の間に読み出し電圧をバイアスしたときに、前記第1強磁性層、前記第1非磁性層及び前記第3強磁性層から構成される第1ユニットのMR比は、インバース状態にあり、前記第2強磁性層、前記第2非磁性層及び前記第3強磁性層から構成される第2ユニットのMR比は、ノーマル状態にあり、前記第1及び第2強磁性層の間に書き込み電圧をバイアスしたときに、前記第1及び第2ユニットのMR比は、共に、前記ノーマル状態又は前記インバース状態にあることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (47件)：

4M119AA03 , 4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD01 , 4M119DD03 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF17 , 5F092AA02 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD13 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD30 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB44 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC43 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE13

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

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