特許

J-GLOBAL ID：200903042961380359

薄膜の製造方法及び薄膜製造装置

発明者： 本田 和義 ,  前澤 可治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321677
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157849
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】生産性良くかつ安定に、磁気記録媒体などの薄膜を得る。【解決手段】排気系1によって真空排気された真空槽2の中で、ポリエチレンテレフタレートからなる長尺基板4が巻き出しロール3から方向12に巻出され、無終端帯17に沿って走行する。無終端帯17を支えるローラのうち、ローラ18Aをローラの回転軸内に設けた空間に冷媒である油を循環させることによって冷却する。無終端帯17の内側に補助ベルト19を設け、ローラ20Dおよび20Eを冷媒の内部循環によって冷却する。基板をニップロール15によって無終端帯に押し当てた後に、電子銃13から電子ビーム14を照射する。基板4は、電子ビーム6を照射されている蒸発坩堝7より遮蔽板9の開口部において蒸着される。遮蔽板9の開口部の蒸着終端側より酸素ガスを基板に差し向けて反応蒸着を行い、基板の上にCo-O磁性層を形成する。

請求項（抜粋）：

真空中で複数のローラに沿って回転する第一の無終端帯に沿って走行する長尺の基板上に薄膜を形成する薄膜の製造方法において、前記第一の無終端帯の内側に複数のローラに沿って回転する第二の無終端帯を存在させ、前記第二の無終端帯を冷却し、前記第一の無終端帯と前記第二の無終端帯を接触させながら薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/56 ,  G11B 5/85

FI (2件)：

C23C 14/56 A ,  G11B 5/85 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-296837   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭57-179952