特許
J-GLOBAL ID:200903042967045160

フォトレジスト素子を形成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-511386
公開番号(公開出願番号):特表2008-541175
出願日: 2006年05月12日
公開日(公表日): 2008年11月20日
要約:
ホットメルトフォトレジスト混合物を調製する工程、光画像形成性ホットメルト組成物を、スロットダイコーティングシステムを使用してフィルム基板に適用する工程、ホットメルトを十分に冷却して流動を防ぐ工程、及び保護カバーフィルムを、部分的に冷却された組成物の反対側の表面に適用し、それによってフォトレジスト素子を形成する工程を含む、フォトレジスト素子を形成する方法。
請求項(抜粋):
(i)ホットメルトフォトレジスト組成物を調製する工程、 (ii)前記フォトレジスト組成物を、スロットダイコーティングシステムを使用してフィルム基板に適用する工程、 (iii)前記ホットメルトを十分に冷却して流動を防ぐ工程、 (iv)保護カバーフィルムを部分的に冷却された前記組成物の反対側の表面に適用し、それによってフォトレジスト素子を形成する工程 を含むフォトレジスト素子を形成する方法。
IPC (6件):
G03F 7/16 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/42
FI (9件):
G03F7/16 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/032 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 503B ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 512 ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/42
Fターム (33件):
2H025AA18 ,  2H025AB11 ,  2H025AB14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC31 ,  2H025BC74 ,  2H025CA41 ,  2H025CA48 ,  2H025CC06 ,  2H025CC08 ,  2H025EA01 ,  2H025EA04 ,  2H025EA08 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15 ,  2H025FA43 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA05 ,  2H096BA06 ,  2H096CA13 ,  2H096CA16 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096HA27 ,  2H096JA02

前のページに戻る