特許
J-GLOBAL ID:200903042968956280

光半導体素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2002000484
公開番号(公開出願番号):WO2002-059982
出願日: 2002年01月24日
公開日(公表日): 2002年08月01日
要約:
発光特性の優れた色変換型発光ダイオードを提供するために、本発明に係る第1の発光ダイオードは、発光層が窒化物系化合物半導体からなるLEDチップと、該LEDチップからの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光物質が含有された透光性樹脂とを備えた発光ダイオードであり、蛍光物質は、小粒径蛍光物質と大粒径蛍光物質とを含み、大粒径蛍光物質は透光性樹脂においてLEDチップの近傍に分布して色変換層を形成し、小粒径蛍光物質は透光性樹脂において色変換層の外側に分布している。
請求項(抜粋):
発光層が窒化物系化合物半導体からなるLEDチップと、該LEDチップからの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光物質が含有された透光性樹脂とを備えた発光ダイオードであって、 前記蛍光物質は、小粒径蛍光物質と大粒径蛍光物質とを含んでなり、前記大粒径蛍光物質は前記透光性樹脂において前記LEDチップの近傍に分布して色変換層を形成し、前記小粒径蛍光物質は前記透光性樹脂において前記色変換層の外側に分布していることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (5件):
H01L33/00 ,  C08G59/40 ,  C08G59/68 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (4件):
H01L33/00 N ,  C08G59/40 ,  C08G59/68 ,  H01L23/30 F

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