特許
J-GLOBAL ID：200903042969460920
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040177
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236620
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】多層配線構造を製造するに際して、レジストパターンの形成回数を減少させ、かつ加工精度がレジストのエッチング耐性に依存せず、また上下層配線と接続体を同じ材料で構成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】下層配線11を形成し、下層配線上に層間絶縁膜となる第1の絶縁膜21を形成し、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜22を形成し、第2の絶縁膜22に第1の絶縁膜21の上面が露出する第1の開口部41Aと第2の開口部41Bを形成し、第1の開口部41Aにおける第1の絶縁膜21の上面上の膜厚が第2の開口部41Bにおける第1の絶縁膜21の上面上の膜厚よりも小さくなるように第3の絶縁膜23を形成し、第3の絶縁膜23の全上面からエッチングを行い、第1の開口部41A下のみに接続孔42Aを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を介して上下に形成した下層配線と上層配線とを、前記層間絶縁膜に形成した接続孔を通して相互に接続する半導体装置の製造方法において、前記下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に前記層間絶縁膜となる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に前記第1の絶縁膜の上面が露出する第1の開口部と第2の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部内の前記第1の絶縁膜の上面上の膜厚が前記第2の開口部内の前記第1の絶縁膜の上面上の膜厚よりも小さくなるように第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第3の絶縁膜の全上面から前記半導体基板の方向にエッチングを行い、前記第1および第2の開口部のうち前記第1の開口部下のみの前記第1の絶縁膜の箇所に前記下層配線に達する前記接続孔を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 23/522
H01L 21/90 A
, H01L 23/52 B
