特許

J-GLOBAL ID：200903042970300180

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 神澤 公
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005948
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 下地の優れた配向性を受継いだ結晶を成長させつつ、必要な成分を失わない強誘電体薄膜製造方法を提供する。【構成】 白金膜7の上面に設けられるPZT薄膜9のゾル・ゲル法を用いた製造方法において、成膜工程を6回にわけて行うとともに、初めの2工程については焼成温度を白金膜7の優れた配向性を受継ぐことのできる温度(750°C)で、焼成時間は20秒で焼結させる。また、最後の2工程については、焼成温度は初めの2工程より低い温度(650°C)で、焼成時間は初めの2工程より長い時間(30秒)で焼結させる。最後の2工程では、焼成温度を下げることにより必要な成分の喪失を防ぐとともに、焼成時間の延長によって焼成温度の低下による結晶化の不完全さを補うことができる。

請求項（抜粋）：

結晶性第一層上面にゾル・ゲル法を用いて強誘電体薄膜を形成する方法であって、ゾル溶液を塗布した後に焼成する成膜工程を複数回行うとともに、前記複数回の成膜工程のうち初期の成膜工程では、前記結晶性第一膜の配向性を受継ぐことの出来るような焼成温度で焼成し、前記複数回の成膜工程のうち後期の成膜工程では、前記初期の成膜工程おける焼成温度よりも低い温度で焼成することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/24 ,  C04B 35/49 ,  C04B 35/64 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 41/22 Z ,  H01L 27/10 325 J