特許
J-GLOBAL ID：200903042970600868
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169755
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016920
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 エピベースバイポーラトランジスタにおいて、コレクタ・ベース間の接合領域とベース・エミッタ間の接合領域は、それぞれ異なるフォトリソグラフィ工程に基づいて形成されるため、合わせずれを考慮すると、コレクタ・ベース間の接合容量は大きくなってしまう。【解決手段】 SiN膜15上に選択的にポリシリコン膜17を成長させ、このポリシリコン膜17をマスクとして、ベース13・エミッタ20間の接合が形成される領域を定める。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が第1導電型である半導体基板の表面に素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜に挟まれた半導体基板をエッチングして、前記素子分離絶縁膜の上面と前記エッチングされた半導体基板間に段差を形成する工程と、非選択エピタキシャル成長技術を用いて、前記エッチングされた半導体基板の表面に第2導電型のエピタキシャル成長膜を形成し、前記素子分離絶縁膜の上面及び側面に第1の多結晶膜を形成する工程と、前記エピタキシャル成長膜上並びに前記第1の多結晶膜の上面及び側面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積し、前記段差に対応する第1の絶縁膜の段差部を第2の絶縁膜で埋め込む工程と、前記第2の絶縁膜をポリッシングし、前記第2の絶縁膜で埋め込まれた段差部以外の第1の絶縁膜を露出する工程と、前記第1の絶縁膜上に成長し、前記第2の絶縁膜上には成長しない選択成長技術を用いて、前記露出された第1の絶縁膜上に第2の多結晶膜を選択的に形成する工程と、前記第2の多結晶膜をマスクとして、前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜をエッチングして開口を形成し、前記エピタキシャル成長膜を露出させる工程と、前記開口内に不純物がドープされた多結晶膜の電極を形成する工程と、前記電極から不純物を前記エピタキシャル成長膜に拡散させて前記エピタキシャル成長膜の表面に第1導電型の領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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