特許

J-GLOBAL ID：200903042980050807

プラズマ処理用シリコンプレート

発明者： 川合 信 ,  後藤 圭一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032667
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247350
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】プラズマ組成の変化やコンタミネーションの発生を防ぐといったシリコンの優位性を生かしつつ、バッチ間のばらつきをきわめて小さくできるプラズマ処理用シリコンプレートを提供する。【解決手段】被処理物をプラズマを用いて処理をするプラズマ処理装置においてヒーターおよび/または電極として用いられるプレートであって、該プレートの母材がシリコンから成り、前記プレートの少なくとも一面に抵抗加熱させるための発熱体が設けられているものであることを特徴とするプラズマ処理用シリコンプレート。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理物をプラズマを用いて処理をするプラズマ処理装置においてヒーターおよび/または電極として用いられるプレートであって、該プレートの母材がシリコンから成り、前記プレートの少なくとも一面に抵抗加熱させるための発熱体が設けられているものであることを特徴とするプラズマ処理用シリコンプレート。

IPC (6件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05B3/10 ,  H05B3/12 ,  H05B3/14 ,  H05B3/20

FI (7件)：

H01L21/302 101L ,  H01L21/205 ,  H05B3/10 A ,  H05B3/12 A ,  H05B3/14 B ,  H05B3/14 F ,  H05B3/20 311

Fターム (37件)：

3K034AA02 ,  3K034AA05 ,  3K034AA15 ,  3K034AA35 ,  3K034BA06 ,  3K034BA17 ,  3K034BB01 ,  3K034BB14 ,  3K034BC02 ,  3K034BC12 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB09 ,  3K092QB62 ,  3K092QB74 ,  3K092RF03 ,  3K092RF08 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092VV40 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045BB03 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-295231
  
• 加熱体及びこれを用いた半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-240472   出願人：信越化学工業株式会社
• シリコンヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243624   出願人：信越化学工業株式会社