特許
J-GLOBAL ID：200903042986117300
モニタ装置用パターンを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213249
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054583
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 狭いスペース内に配置でき、かつモニタ装置の導電型や不純物濃度に関係なく良好な評価を行なうことができるモニタ装置用パターンを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の表面にウェル領域2とフィールド絶縁層3とが形成されている。このフィールド絶縁層3によって区画された領域に絶縁層5を介在して導電層6が形成されている。この導電層6を覆うように層間絶縁層7が形成されており、この層間絶縁層7上に導電層8bが形成されている。ウェル領域2と絶縁層5と導電層6とからなるゲート絶縁層評価用のモニタ装置の形成領域真上に、距離を隔てて導電層8bよりなる配線層評価用のモニタ装置が位置している。
請求項（抜粋）：
第1のモニタ装置用パターンと、前記第1のモニタ装置用パターンの形成領域の真上に前記第1のモニタ装置用パターンと距離を隔てて配置された第2のモニタ装置用パターンとを備えた、モニタ装置用パターンを有する半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/66 Y
, H01L 21/66 S
, H01L 21/66 V
