特許
J-GLOBAL ID：200903042986641408
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132900
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139019
出願日： 1995年05月06日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 単結晶ウエハーを用いたトランジスタと同等の特性を有する薄膜トランジタを得る。【構成】 非晶質珪素膜103に接して、珪素の結晶化を助長する金属元素を含有した溶液を塗布し、さらに加熱処理を加えることにより、シリサイド層105を形成する。そしてパターニングを施すことにより、結晶成長の核となる領域106と107を形成し、加熱した状態でレーザー光を照射することによって、106と107の層を結晶核として108や107で示されるような結晶成長を行わせる。こうして、単結晶結晶と見なせるモノドメイン領域109と111の領域を得る。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を加え前記非晶質珪素膜の表面に前記金属を含む層を形成する工程と、前記金属元素を含む層をパターニングし結晶成長核となる層を形成する工程と、前記結晶成長核となる層から結晶成長を行わせ前記非晶質珪素膜中に実質的に結晶粒界の存在しない領域を形成する工程と、前記結晶成長が行われた実質的に結晶粒界が含まれない領域を用いて活性層を構成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
