電界電子放出装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：池田治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099259
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297229
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】ナノチューブから成るエミッタを備えた電界電子放出装置において、エミッション開始電圧を一層低くし得る製造方法を提供する。【解決手段】真空熱処理工程において、真空下すなわち大気中よりも酸素分圧の低い雰囲気中において加熱された基板56は、その表面54から次第に珪素60が選択的に除去されることにより、その表層部に炭素50だけで構成される珪素除去層38が形成されると共にその珪素除去層38内に基板表面54から陽極に向かって伸びる複数本のナノチューブ46が高密度に生成される。次いで、エッチング処理工程において、このナノチューブ46に酸素の存在下でプラズマ・エッチング処理を施すと、ナノチューブ46の先端のキャップが除去されると共に、珪素除去層38内においてナノチューブ46相互間に位置するアモルファス層が除去される。

請求項（抜粋）：

気密空間内において互いに対向して配置された陽極および陰極と、エミッタとして機能させるためにその陽極に向かって伸びるようにその陰極上に設けられた複数本のカーボン・ナノチューブとを備え、それら陽極および陰極間に電圧を印加することにより、そのエミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置の製造方法であって、共有結合性炭化物から成る基板に真空下で加熱処理を施すことによりその一面に前記複数本のカーボン・ナノチューブを生成する真空熱処理工程と、前記基板上に生成されたカーボン・ナノチューブに酸素の存在下でプラズマ・エッチングを施すことによりその先端を開放するエッチング処理工程とを含み、前記基板を前記陰極上に配置することによりその陰極上に前記カーボン・ナノチューブを設けることを特徴とする電界電子放出装置の製造方法。

Fターム (9件)：

5C127AA01 , 5C127AA02 , 5C127AA20 , 5C127BA09 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD54 , 5C127EE03

前のページに戻る