薄膜製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林良平 , 竹内尚恒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-269087
公開番号（公開出願番号）：特開2006-083010
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】広い面積に亘ってc軸が面内に配向したZnO薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット28をスパッタし、プラズマ中に陰極23から陽極24に向かう原料の流れ(原料流)を形成する。この原料流は中心部において密度が高く、中心部から外れるに従って密度が低いものとなる。基板20は、原料流の形成される領域30の中心軸から外れた位置に、該中心軸に対して傾斜して固定される。これにより、基板20に自然に温度勾配が形成され、基板20上に堆積するZnO薄膜のc軸は面内で温度勾配の方向に配向する。また、基板20が原料流に対して傾斜して固定されることにより、従来よりもc軸が面内に斉合配向する面積が大きくなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

プラズマ中に形成された薄膜原料の一軸方向の流れであって、該軸に直交する方向に密度勾配を有する原料流を形成し、基板を、高密度側において原料流の上流側、低密度側において下流側となるように、該原料流中に傾斜して配置することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (8件)：

C30B 23/08 , C23C 14/08 , C23C 14/35 , C23C 14/54 , C30B 29/16 , H01L 21/316 , H01L 41/24 , H01L 41/18

FI (8件)：

C30B23/08 P , C23C14/08 C , C23C14/35 , C23C14/54 D , C30B29/16 , H01L21/316 Y , H01L41/22 A , H01L41/18 101Z

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA12 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EG03 , 4G077HA11 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4K029AA02 , 4K029BA49 , 4K029BC00 , 4K029CA15 , 4K029DC39 , 4K029EA08 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD05 , 5F058BF13 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

特公昭50-23918号公報(第1ページ左欄36行目〜第2ページ左欄2行目)
横波トランスデューサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032654 出願人：株式会社村田製作所
特許第3561745号公報([0020]〜[0031], 図3)

審査官引用 (1件)

特許第3561745号

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る