特許

J-GLOBAL ID：200903042991828915

磁気抵抗素子

発明者： 宮崎 照宣 ,  越村 正己
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070148
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が10%以上であって弱磁場における感度が良好で、出力波形を方形波に波形整形する必要がない。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造及び回路構成が簡単で小型化し得る。【構成】 2つの強磁性薄膜11及び12を薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに平行になるように設けられ、薄膜11の磁化容易軸方向の保磁力が薄膜12の磁化容易軸方向の保磁力より、好ましくは2倍を越えない程度に大きく、薄膜11及び薄膜12の各磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに平行になるように設けられ、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より大きく、前記第1強磁性薄膜(11)及び前記第2強磁性薄膜(12)のそれぞれの磁化曲線が角形状のヒステリシス曲線を有し、全体の磁化曲線が階段状で角形状のヒステリシス曲線であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01D 5/245 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39