特許
J-GLOBAL ID：200903042992345616
薄膜誘電体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-017046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214947
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜を使用した薄膜誘電体素子において、導電性ペロブスカイト型酸化物を電極として用いた場合に生じる問題、すなわち漏れ電流の増加、直流電流を長時間印加し続けた際の絶縁抵抗の劣化、高周波域での容量の低下を抑制する。【解決手段】 基板1上に順に積層された下部電極3、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜4および上部電極5を具備する薄膜誘電体素子である。下部電極3および上部電極5の少なくとも一方を、Sr、BaおよびCaから選ばれる少なくとも 1種のアルカリ土類元素AEと、Ru、IrおよびRhから選ばれる少なくとも 1種の遷移金属TM元素とを主成分とし、かつAE元素とTM元素との比率が1.01<AE/TM< 1.3を満足する導電性ペロブスカイト型酸化物で構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に順に積層された下部電極、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜および上部電極を具備する薄膜誘電体素子において、前記下部電極および上部電極の少なくとも一方は、Sr、BaおよびCaから選ばれる少なくとも 1種のアルカリ土類元素AEと、Ru、IrおよびRhから選ばれる少なくとも 1種の遷移金属元素TMとを主成分とし、かつ前記AE元素とTM元素との比率が1.01<AE/TM< 1.3を満足する導電性ペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とする薄膜誘電体素子。
IPC (9件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01B 1/08
, H01B 3/12 303
, H01G 4/10
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, H01B 1/08
, H01B 3/12 303
, H01L 27/10 451
, H01G 4/10
, H01L 29/78 371
