特許

J-GLOBAL ID：200903042992854863

フォトダイオードとその製造方法

発明者： 舟木 正紀
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 今間 孝生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140970
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307133
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 特性の優れたフォトダイオードを提供する。【解決手段】 基本の半導体材料としてシリコンを用いたフォトダイオードにおける光が入射する側のn型半導体層3内に、前記したn型半導体層3と真性半導体層2との接合面におけるゲルマニウムの割合いが最大で、前記の接合面から離隔するにしたがってゲルマニウムの割合いが減少して行くようなシリコンとゲルマニウムとの混晶層を設けて、光が入射する側のn型半導体層における前記したシリコンとゲルマニウムとの混晶層の部分に電位勾配(電位傾度)生じさせ、それにより光が入射する側の不純物半導体層で入射光5により発生した電子・ホール対におけるホールが、前記した光が入射する側の不純物半導体層における前記したシリコンとゲルマニウムとの混晶層の部分に電位勾配(電位傾度)によってシリコンによる真性半導体層の方にドリフトして電流を発生させることができるようにして、光が入射する側の不純物半導体層を薄くすることなく(電気抵抗値が低い状態のままで)、光が入射する側の不純物半導体層を薄くした場合と同様な効果を容易に得る。

請求項（抜粋）：

基本の半導体材料としてシリコンを用いたpin構造のフォトダイオードにおける光が入射する側の不純物半導体層内に、前記した光が入射する側の不純物半導体層と真性半導体層との接合面におけるゲルマニウムの割合いが最大で、前記の接合面から離隔するにしたがってゲルマニウムの割合いが減少して行くようなシリコンとゲルマニウムとの混晶層を構成させてなるフォトダイオード。