特許

J-GLOBAL ID：200903042994184601

ケイ素及び酸化ケイ素の製造方法

発明者： 藤田 正登 ,  下 紳郎 ,  熊 均
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009016
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【構成】 1ml当り10<SP>15</SP>分子以上の濃度のガス状の一般式Si<SB>n</SB>X<SB>m</SB>H<SB>2n+2-2m</SB>(X:ハロゲン原子、n:1〜5、0≦m<2n+2)で表わされるケイ素化合物の系内に、窒素、硫黄又は炭素の酸化物を存在させ、この系内の一部に1cm<SP>2</SP>当り10<SP>-4</SP>ジュール以上のエネルギー密度のエネルギー線を照射して、該ケイ素化合物と該酸化物との発熱的な連鎖反応を引き起こさせ、ケイ素及び酸化ケイ素の微粒子状混合物を製造する。【効果】 ケイ素及び酸化ケイ素混合物を、レーザー光などのエネルギー線を用いて、ケイ素化合物の蒸気から安価にかつ極めて効率よく製造することができる。

請求項（抜粋）：

シラン及びハロゲン化シランの中から選ばれた少なくとも1種のケイ素化合物1015分子/ml以上と、窒素、硫黄及び炭素の中から選ばれた元素の酸化物とを原料として含む気相混合系を形成させ、次いでその系の一部に10-4ジュール/cm2以上のエネルギー密度でエネルギー線を照射して原料から高濃度の活性種を生成させ、これによって該ケイ素化合物と該酸化物との間で発熱的連鎖反応を行わせることを特徴とするケイ素及び酸化ケイ素の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/027 ,  C01B 33/12