特許

J-GLOBAL ID：200903042999004105

電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法

発明者： 丸山 朋子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049164
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251684
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 均一な電子放出特性を有する電子放出素子を安定して製造できるようにする。【解決手段】 基体1上に設けられた素子電極2,3間に跨がる導電性膜4に電子放出部5を有する電子放出素子の製造方法において、金属元素を含む液体の液滴を基体1上に付与して導電性膜4を形成し、この導電性膜4の両端部に部分的に重なるようにして別の金属元素を含む液体の液滴を付与して活性化抑制膜6を形成した。

請求項（抜粋）：

基体上に設けられた一対の素子電極と、該素子電極間に跨がる導電性膜と、該導電性膜に形成された電子放出部を有する電子放出素子の製造方法において、基体上に一対の素子電極を形成する工程と、基体上の素子電極および素子電極間の中央部に、金属元素を含む液体を液滴として付与した後、乾燥及び/または焼成して導電性膜を形成する工程と、基体上の素子電極および素子電極間の幅方向両端部に、導電性膜と部分的に重なるようにして金属元素を含む液体を液滴として付与した後、乾燥及び/または焼成して活性化抑制膜を形成する工程と、導電性膜に電子放出部を形成するフォーミング工程と、有機物質の存在下で素子電極間に電圧を印加する活性化工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/316 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 E ,  H01J 1/30 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

Fターム (5件)：

5C031DD09 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12