特許

J-GLOBAL ID：200903042999691323

トレンチ・アイソレーション構造の形成方法

発明者： 一 山 昌 章 ,  名 倉 映 乃 ,  石 川 智 規 ,  櫻 井 貴 昭 ,  清 水 泰 雄
出願人/特許権者： クラリアント ジャパン 株式会社
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-058365
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273519
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】溝の内部にボイドやクラックのない、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法の提供。【解決手段】シリコン基板の表面に、溝を形成させ、ポリシラザン溶液を塗布し、50°C〜400°Cの温度範囲で経時で上昇するように制御されたプリベーク温度でプリベークし、最高プリベーク温度以上の温度で硬化させ、研磨およびエッチングする、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法。プリベークは、2段階以上の温度で段階的に、あるいは単調増加的に温度上昇させながら行う。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、トレンチ・アイソレーション溝を形成させる溝形成工程、 ポリシラザンを有機溶媒に溶解させたポリシラザン溶液を前記基板上に塗布してポリシラザン被膜を形成させる、塗布工程、 塗布済み基板をプリベークする工程であって、プリベーク工程における温度が50°C〜400°Cの温度範囲で経時で上昇するように制御されている、プリベーク工程、 プリベーク済み基板を、水蒸気濃度1%以上の不活性ガスまたは酸素雰囲気下、最高プリベーク温度以上1000°C以下の温度で処理してポリシラザン被膜を二酸化シリコン膜に転換させる硬化工程、 前記二酸化シリコン膜をCMP研磨により選択的に研磨する研磨工程、および 研磨工程後に残った二酸化シリコン膜をエッチングにより選択的に除去するエッチング工程 を含んでなることを特徴とする、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/76 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L21/76 L ,  H01L21/316 G

Fターム (17件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA70 ,  5F032DA03 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ06