特許

J-GLOBAL ID：200903043003171589

バンプ電極の製造方法

発明者： 臼井 吉清
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220818
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062982
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】最外殻保護膜として樹脂膜を用いる集積回路装置に対しバンプ電極を組み込んだ後の樹脂膜の表面を清浄化する。【構成】樹脂膜5に接する金属の下地膜6をめっき電極としてバンプ電極用金属8を電解めっきにより成長させ、かつ樹脂膜5上から下地膜をエッチングにより除去した後、樹脂膜5に浅くドライエッチングを施してその表面を清浄化するとともにその前の除去時に取り切れなかった下地膜のエッチング残渣6aを除去する。

請求項（抜粋）：

最外殻保護膜として樹脂膜を用いる集積回路装置にバンプ電極を組み込む方法であって、樹脂膜に接する金属の下地膜をめっき電極として電解めっきによりバンプ電極の金属を成長させる工程と、下地膜をバンプ電極の金属をエッチングマスクとするエッチングにより樹脂膜上から除去する工程と、酸素を含むプラズマふん囲気内で樹脂膜の表面をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とするバンプ電極の製造方法。