特許

J-GLOBAL ID：200903043004759954

強磁性単電子素子

発明者： 白樫 淳一 ,  竹村 泰司
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 山口 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063624
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264295
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 外乱による動作不安定を改善し、集積化を可能にする、高集積密度化に適した強磁性単電子素子を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシー法、化学的気相成長法、真空蒸着法またはスパッタ法により強磁性体材料1,2,3を絶縁性基板上に形成し、陽極酸化法、自然酸化法またはプラズマ酸化法により絶縁体を作成することで2つの強磁性体材料1,3及び強磁性体材料2,3を直列接続して強磁性トンネル接合を作成し、その両端の一方をソース電極5とし、他方をドレイン電極6とする。この2つの強磁性トンネル接合の間を中央電極4とし、中央電極4に接するように抵抗体(抵抗値Rg)を形成したゲート電極7で構成される。ソース電極5、ドレイン電極6および中央電極4の磁化方向は矢印で示し、ゼロ磁場では反強磁性的に配列し、外部磁場の印加により強磁性的配列をとる。

請求項（抜粋）：

単電子帯電効果とスピン依存トンネル効果の組み合わせにより発現するトンネル磁気抵抗効果の増大現象を利用した、抵抗結合型ゲート構造を有する強磁性単電子素子。